7月5日晚间，彭博社援引知情人士爆料，美国正在推动荷兰禁止该国光刻设备制造商ASML出售相关技术给予大陆，以进一步遏止中国在半导体产业崛起！
这一次还不只最先进的设备，还包括了上一代采用DUV技术的光刻机，其制造能力最高可以生产7nm制程的芯片。
而可以制造5nm及以下制程芯片的EUV光刻机，早在两年前，就因为美国的施压而无法进口。
就在当天上午，中国国务院副总理刘鹤刚与美财政部长耶伦举行视频通话。值得注意的是，这次通话两次提到了“全球产业链供应链稳定”中国成功生产5纳米光刻机，并强调要共同维护，中方还表达了对美国取消对华加征关税和制裁、公平对待中国企业等问题的关切，并称这次“交流富有建设性”。
据悉，美国政府的行动，早在一个多月前，美国商务部副部长唐·格雷夫（Don Graves）访问荷兰时就已经开始。
在访问行程中，格雷夫还专门拜访了阿斯迈尔的总部，并和阿斯迈尔首席执行官彼得·温宁克（Peter Wennink）进行会面。
同时还有消息显示，除了荷兰，日本政府同样受到了来自美国的压力，因为日本尼康同样掌握DUV光刻机制造能力。
针对以上的消息，美国商务部与荷兰外交部均表示拒绝发表任何评论。
同时涉及此事的ASML和尼康两家公司，也都没有做出实质性的回应。
消息曝出之后，阿斯迈尔的美国存托凭证跌幅一度扩大到8.3%，截止到目前已经回落至3.87%。
但如果消息属实，这也意味着美国对中国芯片产业的全面围堵。
毕竟具备7nm以下制程芯片制造能力的EUV光刻机，早在2020年初，因为美国政府的压力而禁止出口到中国。
而目前国内目前能够自主制造的芯片制程，还停留在28nm。
至于更先进的EUV光刻机核心技术，现在还处在实验室的基础研发阶段，比如光刻胶原材料、EUV极紫外光源等等，何时能研发成熟投入商用，现在来看仍然是一个巨大的未知数。
也就是说，一旦荷兰政府同意禁止出口，制程先进的高端芯片且不说，连7nm以上制程的芯片，包括大部分车规级芯片、以及一些消费类芯片，都将面临受制于人的命运。
所以现在，有一个问题至关重要：ASML什么态度？
从彭博社曝出的消息来看，目前荷兰政府尚未同意，对阿斯迈尔向中国出口DUV光刻机有任何额外限制行动。
与此同时，荷兰首相马克·吕特（Mark Rutte）不久之前也在公开场合表示，反对改变与中国的贸易关系。
而ASML这一边，虽然官方目前还没有实质性的回应，但其首席执行官温宁克也曾表明态度：
反对禁止向中国出口DUV光刻机。
理由是DUV光刻机已经是一项“成熟”的芯片生产设备。
从技术独立性上，ASML在DUV光刻机技术上底气更足，早在2003年，阿斯迈尔就已经推出自主研发的DUV光刻机，并借此在全球芯片制造产业上成为巨头。
而ASML的EUV技术，则与美国和英特尔牵头成立的EUV LLC联盟有着千丝万缕的联系。
所以与上次禁止出口EUV光刻机不同的是，ASML出口DUV光刻机到中国，无需美国的授权。
ASML光刻机的工作原理
ASML光刻机的简易工作原理图
简单介绍一下图中各设备的作用：
测量台、曝光台：承载硅片的工作台，也就是双工作台。一般的光刻机需要先测量，再曝光，只需一个工作台，而ASML有个专利，有两个工作台，实现测量与曝光同时进行。而本次“光刻机双工件台系统样机研发”项目则是在技术上突破ASML对双工件台系统的技术垄断。
激光器：也就是光源，光刻机核心设备之一。
光束矫正器：矫正光束入射方向，让激光束尽量平行。
能量控制器：控制最终照射到硅片上的能量，曝光不足或过足都会严重影响成像质量。
光束形状设置：设置光束为圆型、环型等不同形状，不同的光束状态有不同的光学特性。
遮光器：在不需要曝光的时候，阻止光束照射到硅片。
能量探测器：检测光束最终入射能量是否符合曝光要求中国成功生产5纳米光刻机，并反馈给能量控制器进行调整。
掩模版：一块在内部刻着线路设计图的玻璃板，贵的要数十万美元。
掩膜台：承载掩模版运动的设备，运动控制精度是nm级的。
物镜：物镜由20多块镜片组成，主要作用是把掩膜版上的电路图按比例缩小，再被激光映射的硅片上，并且物镜还要补偿各种光学误差。技术难度就在于物镜的设计难度大，精度的要求高。
硅片：用硅晶制成的圆片。硅片有多种尺寸，尺寸越大，产率越高。题外话，由于硅片是圆的，所以需要在硅片上剪一个缺口来确认硅片的坐标系，根据缺口的形状不同分为两种，分别叫flat、notch。
内部封闭框架、减振器：将工作台与外部环境隔离，保持水平，减少外界振动干扰，并维持稳定的温度、压力。
国产光刻机怎么样了？
我国在光刻机方面的技术积累和人才储备相对不足，虽无法制造高端光刻机，但可以制造一些低、中端的光刻机。
2008年起，我国开始重视光刻机的研发。为推动我国集成电路制造产业的发展，国家决定实施科技重大专项“极大规模集成电路制造装备及成套工艺”项目（又称“02专项”）。在该项目下，我国研究团队一路攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已经研制成功。
2019年4月，武汉光电国家研究中心甘棕松团队通过2束激光，在自研的光刻胶上，突破光束衍射极限的限制，并使用远场光学的办法，光刻出最小9纳米线宽的线段。该成果一举实现光刻机材料、软件和零部件的三大国产化。
2020年6月，上海微电子设备有限公司透露将在2021—2022年交付首台国产28纳米工艺浸没式光刻机。这意味着国产光刻机工艺从以前的90纳米一举突破到28纳米。
虽然国产28纳米光刻机与已面世的5纳米顶尖制程存在较大差距，但常见的射频芯片、蓝牙芯片、功放芯片、路由器上的芯片、各种电器的驱动芯片等非核心逻辑芯片，仍采用28~90纳米工艺。
在光刻工艺进入28纳米以下制程之后的较长一段时间里，16纳米和14纳米制程的成本一度高于28纳米，与摩尔定律的运行规律相反，这也使得28纳米制程工艺极具性价比。在实际应用中，28纳米光刻机不仅能用来生产28纳米芯片，更有望通过多重曝光的方式生产14纳米、10纳米、7纳米芯片。尽管我国自主光刻机与外国先进水平仍有不小代差，但未来可期。
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